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新着情報
2023年3月15-18日
第70回応用物理学会春季学術講演会
渡海智が口頭発表を行いました。
「エピ音響ブラッグ反射器およびエピScAlN, MgZnO圧電薄膜から成るSMR」
関崚が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜構造の k t 2 評価における電極面積依存性の実験データとFEM解析データの比較」
島野耀康が口頭発表を行いました。
「基板付き薄膜共振子における共振反共振法用いた電極を含む電気機械結合係数k eff 2 の直接評価」
馮子泰が口頭発表を行いました。
「YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜を用いたBAW共振子の特性」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「30 層分極反転共振子による圧電層と基板の音響分離」
小林栞が口頭発表を行いました。
「オフ角サファイア単結晶基板上 c 軸傾斜MgZnO, ScAlN,エピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性」
中村華英が口頭発表を行いました。
「Li0.65 Nb0.3 Ta0.05 O3 スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性」
國信聡太が口頭発表を行いました。
「オフ角基板を用いたc軸傾斜エピPbTiO 3 薄膜の擬似横波励振特性」
内田拓希が口頭発表を行いました。
「(10-12)LiNbO3 スパッタエピ薄膜のGHz帯擬似横波励振特性」
賈 軍軍が口頭発表を行いました。
「MgZnO複合酸化物薄膜の電気機械結合特性」
2023年1月26-27日
圧電材料・デバイスシンポジウム2023
鈴木基嗣が口頭発表を行いました。
「GHz 帯パルスエコー法による音響ブラッグ反射層の横波機械的通過損失の測定」
関崚が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜の様々な k t 2 評価法における電極面積依存性」
島野耀康が口頭発表を行いました。
「基板付き薄膜共振子において通常の共振反共振法を用いる新しい k t 2 評価法の提案」
渡海智が口頭発表を行いました。
「エピタキシャル金属薄膜から成る音響ブラッグ反射器を用いたフルエピタキシャル SMR の作製」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「圧電層と基板の音響分離を目指した 30 層分極反転共振子案」
岸大貴が口頭発表を行いました。
「オフ角サファイア基板を用いた ScAlN および MgZnO 薄膜の c 軸傾斜エピタキシャル成長と横波圧電特性」
工藤慎也が口頭発表を行いました。
「オフ角 Al2 O3 基板を用いた LiNbO3 薄膜の c 軸傾斜エピタキシャル成長」
國信聡太が口頭発表を行いました。
「オフ角 La-SrTiO3 基板を用いた c 軸傾斜エピ PbTiO3 薄膜の高い横波圧電性」
2022年12月22-23日
電子情報通信学会超音波研究会
清水祐樹がポスター発表を行いました。
「基板付き薄膜共振子を用いたScAlN、ZnO、PZT圧電薄膜層のQ値抽出 」
関崚がポスター発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜の k t 2 評価における電極面積の影響」
岸大貴がポスター発表を行いました。
「c軸20°傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性」
工藤慎也がポスター発表を行いました。
「LiNbO3 スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性」
近藤圭太がポスター発表を行いました。
「SiO2 遅延層を用いたGHz帯パルスエコー法による音響ブラッグ反射層の機械的通過損失の測定」
李嵩がポスター発表を行いました。
「YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性」
2022年11月14-16日
2022 US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「GHz frequency switchable BAW filter applications of ferroelectric ScAlN and MgZnO thin films」
國信聡太がポスター発表を行いました。
「k t 2 hysteresis curves of PbTiO3 epitaxial film resonators before and after removing substrate」
中村華英がポスター発表を行います。
「Fingerprint imaging using GHz PbTiO3 epitaxial thin film ultrasonic transducer」
清水祐樹がポスター発表を行いました。
「Mechanical Q factor extraction of sputter-grown Pb(Zrx Ti1-x )O3 epitaxial thin films without removing substrate」
2022年11月7-9日
The 43rd Symposium on UltraSonic Electronics (USE2022)
石井直輝が口頭発表を行いました。
「k t 2 hysteresis curve of ferroelectric ScAlN thin film」
工藤慎也がポスター発表を行いました。
「Thickness shear mode BAW resonator based on epitaxial (10-12) LiNbO3 (11-20) AZO/(10-12) Al2 O3 」
岸大貴がポスター発表を行いました。
「Quasi-shear mode excitation of c-axis tilted MgZnO epitaxial thin film」
鈴木基嗣がポスター発表を行いました。
「Extraction of mechanical reflectance of acoustic Bragg reflector by GHz pulse echo technique」
清水祐樹がポスター発表を行いました。
「Mechanical Q factor dependence on Zr/Ti ratio of sputter-grown PZT epitaxial thin films」
2022年10月12-13日
IEEE IUS 2022
清水祐樹がポスター発表を行いました。
「Evaluation of mechanical Q factor of sputter-grown Pb(Zrx Ti1-x )O3 epitaxial films without removing substrate」
清水祐樹が口頭発表を行いました。
「Fabrication of high k t 2 and k’ 35 2 Sc0.4 Al0.6 N thin films by RF magnetron sputtering」
工藤慎也が口頭発表を行いました。
「Sputter epitaxial (1012) LiNbO3 film / (1120) AZO / (1012) Al2O3 shear mode thin film resonators」
「IBAD c-axis parallel ZnO piezoelectric film stack?for gyroscope applications」
李嵩が口頭発表を行いました。
「Experimental and theoretical investigation of enhanced electromechanical properties in YbAlN and YbGaN films」
石井直輝がポスター発表を行いました。
「GHz electromechanical coupling hysteresis curves for ferroelectric」
「Polarization inverted 2 layer ScAlN thin film resonator fabricated by applying external electric field」
小池由奈が口頭発表を行いました。
「Epitaxial PbTiO3 ultrasonic transducer for higher resolution of fingerprint imaging using GHz reflectometry of back side of substrate」
小池由奈がポスター発表を行いました。
「A piezoelectric gyroscope with tilted c-axis ScAlN thin-films」
柴田真之S. Shibataがポスター発表を行いました。
「Transversal type BAW filter based on polarization-inverted ScAlN multilayers」
「Power Durability Evaluation of Higher-order Mode Polarization-inverted ScAlN Thin Film Resonators」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「SMR-type piezoelectric transformer based on c-axis zig-zag polarization inverted ScAlN multilayer」
渡海智が口頭発表を行いました。
「Fabrication of epitaxial piezoelectric layer on acoustic Bragg reflector using epitaxial sacrificial layer」
島野耀康が口頭発表を行いました。
「Grow of O-polar and Zn polar ferroelectric MgZnO thin films controlled by sputtering geometry」
「Quasi-shear mode electromechanical coupling coefficient of c-axis tilted MgZnO thin films」
鈴木基嗣が口頭発表を行いました。
「A method for evaluating sole mechanical properties of acoustic Bragg reflector by pulse echo technique in the GHz range」
鈴木基嗣がポスター発表を行いました。
「Extracting Q factor of the piezoelectric thin films from film/high-Q substrate HBAR structure」
中村華英がポスター発表を行いました。
「Improvement of electromechanical coupling coefficient of piezoelectric LiNbO3 by doping praseodymium」
2022年9月20日
第83回応用物理学会秋季学術講演会
國信聡太が口頭発表を行いました。
「PZTエピタキシャル薄膜のZr/Ti比における機械的品質Qmの依存性」
石井直輝が口頭発表を行いました。
「ウルツ鉱型強誘電体薄膜におけるGHz帯k t 2 -Eヒステリシス特性」
関崚が口頭発表を行いました。
「基板付きの圧電薄膜と自立構造の圧電薄膜に対する 各種 k t 2 値評価法の比較」
内田拓希が口頭発表を行いました。
「20%を超える高いk t 2 値のc軸配向Sc0.4Al0.6N薄膜および高いk’ 35 2 値のc軸傾斜配向Sc0.4 Al0.6 N薄膜」
柴田真之が口頭発表を行いました。
「耐電力性向上を目的とした分極反転ScAlN薄膜ブラッグ反射共振子」
岸大貴が口頭発表を行いました。
「c軸10°傾斜配向ZnOエピタキシャル薄膜の成長と擬似横波励振特性」
工藤慎也, 柳谷隆彦
「(10-12)LiNbO3 スパッタエピ薄膜のGHz帯擬似横波励振特性」
島野耀康が口頭発表を行いました。
「分極反転多層デバイスに向けた極性制御MgZnO圧電薄膜の作製」
浴田航平が口頭発表を行いました。
「(100)AgNbO3 エピタキシャル薄膜/(100)STO基板のGHz帯超音波励振特性」
鈴木基嗣が口頭発表を行いました。
「GHz帯パルスエコー法による音響多層膜単体の機械特性評価」
清水祐樹が口頭発表を行いました。
「基板付き薄膜構造からの圧電薄膜のQ値抽出における横方向伝搬の影響」
2022年9月14日
日本音響学会第148回
島野耀康が口頭発表を行いました。
「c軸傾斜MgZnO薄膜における擬似横波励振特性」
岸大貴が口頭発表を行いました。
「c軸10°傾斜配向ZnOエピタキシャル薄膜における擬似横波励振特性」
工藤慎也が口頭発表を行いました。
「(10-12)LiNbO3 エピタキシャル薄膜/(10-12)Al2O3 基板のGHz帯向け擬似横波励振特性」
2022年7月18-20日
IEEE IC-MAM 2022
工藤慎也が口頭発表を行いました。
「Epitaxial piezoelectric layer SMR fabricated using epitaxial sacrificial layer process」
「Thickness shear mode epitaxial (1012) LiNbO3 (1120) AZO / (1012) Al2O3 BAW resonator」
石井直輝が口頭発表を行いました。
「A method to evaluate the mechanical transmission loss of the sole Bragg reflector by using GHz pulse echo technique」
小池由奈が口頭発表を行いました。
「Fingerprint imaging in GHz using PbTiO3 epitaxial piezoelectric thin films」
2022年4月
JSTの創発的研究支援事業(FOREST)
柳谷隆彦がJSTの創発的研究支援事業(FOREST)に採択されました。
2022年3月22-26日
第69回応用物理学会春季学術講演会
工藤慎也が口頭発表を行いました。
「LiNbO3 エピタキシャル薄膜の共振特性」
岸大貴が口頭発表を行いました。
「c軸傾斜配向MgZnO薄膜の作製」
茂木彩音が口頭発表を行いました。
「c軸傾斜配向ScAlN薄膜を用いた複素反射法による生体物質の相互作用の検出」
國信聡太が口頭発表を行いました。
「PbTiO3 薄膜共振子の基板除去前後における k t 2 ヒステリシスカーブの比較 」
小林栞が口頭発表を行いました。
「高Q基板を用いた圧電薄膜/基板構造からの圧電薄膜層のQ値抽出」
小池由奈が口頭発表を行いました。
「PbTiO3 アレイトランスデューサの基板裏面での反射率測定によるGHz帯超音波イメージング」
柴田真之が口頭発表を行いました。
「c軸ジグザグ分極反転ScAlN薄膜を用いたBAW送受波型トランスバーサルフィルタ」
渡海智が口頭発表を行いました。
「音響ブラッグ反射器上へのエピ圧電層の形成」
李嵩が口頭発表を行いました。
「スパッタ法による透明 ScAlN 薄板の成長」
鈴木基嗣が口頭発表を行いました。
「超音波顕微鏡による音響ブラッグ反射層の機械的通過損失の測定」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「c軸傾斜反転ScAlN薄膜を用いたブラッグ反射器型圧電トランス」
石井直輝が口頭発表を行いました。
「外部電場によるScAlN薄膜の分極反転と圧電特性」
賈軍軍が口頭発表を行いました。
「III-V族窒化物圧電薄膜へのYb添加効果」
2022年1月27-28日
圧電材料・デバイスシンポジウム2022
泉航太が口頭発表を行いました。
「分極反転 ScAlN 薄膜を用いたBAW送受波型トランスバーサルフィルタ」
柴田真之が口頭発表を行いました。
「耐電力性向上に向けた高次モード分極反転ScAlN薄膜の作製およびサブ W 耐電力性の評価」
渡海智が口頭発表を行いました。
「エピ犠牲層を用いた音響ブラッグ反射器上へのエピ圧電層の形成」
岩田直也が口頭発表を行いました。
「スパッタによる透明 ScAlN 薄板の成長と10 MHz帯トランスデューサへの応用」
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「PbTiO3 エピ薄膜の基板裏面反射率測定を用いたGHz帯音響イメージングの高分解能化」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「厚みすべりモード c 軸ジグザグ ScAlN 積層を用いたブラッグ反射器型圧電トランス
清水祐樹が口頭発表を行いました。
「高 Q 基板を用いた基板付き薄膜共振子からの圧電薄膜層のQ 値抽出」
石井直輝が口頭発表を行いました。
「外部電場により分極反転処理した強誘電性 ScAlN 薄膜共振子」
李嵩が口頭発表を行いました。
「(0001)YbAlN/(0001)Ti/(0001)Al2 O3 エピタキシャル薄膜共振子」
近藤圭太が口頭発表を行いました。
「GHz 帯パルスエコー法による音響ブラッグ反射層単体の機械的通過特性の評価」
2022年1月25日
電子情報通信学会超音波研究会
泉航太が口頭発表を行いました。
「c軸ジグザク分極反転ScAlN薄膜を用いたBAW送受波型トランスバーサルフィルタ」
2021年12月13日
Materials Research Meeting 2021
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
“Electromechanical coupling hysteresis curve of piezoelectric film/substrate structure in the GHz range”
2021年11月26日
電子情報通信学会超音波研究会
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「PbTiO3エピ圧電薄膜を用いた基板裏面におけるGHz超音波の指紋イメージング」
岩田直也が口頭発表を行いました。
「スパッタ法により作製した0.3mmの10MHz帯ScAlN薄板トランスデューサ」
2021年10月25日
The 42th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2021)
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「GHz 帯 PbTiO3 エピ薄膜を用いた基板裏面での反射率測定によるイメージング」
2021年9月28日
第50回EMシンポジウム
関崚が口頭発表を行いました。
「5GHz 帯に向けた自立構造 ScAlN エピタキシャル薄膜共振子」
國信聡太が口頭発表を行いました。
「自立構造 PbTiO3 薄膜共振子における k t 2 ヒステリシスカーブの測定」
白岩和剛が口頭発表を行いました。
「ブラッグ反射器を用いた厚みすべりモード c 軸ジグザグ ScAlN 積層型圧電トランス」
2021年9月14-16日
2021 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS)
清水祐樹がポスター発表を行いました。
“Effect of Lateral Propagation on Extraction of Mechanical Q Factor of the Piezoelectric Films Without Removing Substrate”
“Comparison of the k t 2 Extraction Methods of Piezoelectric Films in Film/Substrate Structure and SelfStanding Film Structure”
白寧蕊がポスター発表を行いました。
“0.1 mm Thick ScAlN Film: Application to MHz Transducer and Precise Lattice Constant Measurement”
國信聡太がポスター発表を行いました。
“Effect of Epitaxial Stress in PbTiO3 Epitaxial Film Resonators on k t 2 Hysteresis Curve”
近藤圭太がポスター発表を行いました。
“Precise Extraction of k t 2 for Piezoelectric Film/Substrate Structure by Unembedding Parasitic Inductance”
岩田直也がポスター発表を行いました。
“Thick Epitaxial ScAlN Film/ (111) Pt/ (0001) Sapphire Ultrasonic Transducer in the 30 MHz”
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
“Epitaxial PbTiO3 Ultrasonic Transducer for Fingerprint Imaging in the Giga-Hertz Range Using the Reflectometry of Back Side of Substrate”
石井直輝が口頭発表を行いました。
“A Method for Evaluating Acoustic Bragg Reflector by Ultrasonic Microscope
山下美穂がポスター発表を行いました。
“Detection of Protein Binding by Shear Mode Ultrasonic Reflection Coefficients Using c-Axis Tilted ScAlN Film Above 100MHz”
岸大貴がポスター発表を行いました。
“GHz BAW Piezoelectric Transformers for Passive Voltage Amplification Using the Epitaxial ZnO Thin Films”
小池由奈がポスター発表を行いました。
“Experimental and Theoretical Investigation of kt2 and Velocity in YbGaN Films by DFT”
2021年6月3日
第38回強誘電体会議
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「窒化物強誘電体薄膜の BAW フィルタ応用とウエハ付きの圧電薄膜の k t 2 および音速評価法」
2021年5月31日
8th PiezoMEMS Workshop
柳谷隆彦が招待講演を行います。
“Measurement of GHz k t 2 hysteresis curve in piezoelectric film/substrate structure without removing substrate”
2021年3月16-19日
第68回応用物理学会春季学術講演会
泉航太が口頭発表を行います。
「MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数k t 2 の向上」
佐藤裕友が口頭発表を行います。
「PbTiO3 エピタキシャル薄膜の基板裏面における反射率測定を用いたGHz帯指紋イメージング」
工藤慎也が口頭発表を行います。
「イオン照射を用いたScAlN薄膜の極性制御」
山下美穂が口頭発表を行います。
「c軸傾斜配向ScAlN薄膜の横波反射率測定による液体の粘性評価」
渡海智が口頭発表を行います。
「エピタキシャルPbTiO3 自立薄膜共振子のGHz 帯圧電特性」
山中恵理が口頭発表を行います。
「基板付き圧電薄膜構造におけるk t 2 評価法に寄生インダクタンスが与える影響」
岸大貴が口頭発表を行います。
「誘電率の異なる材料を組み合わせた圧電薄膜トランスの作製」
2021年1月21-22日
圧電シンポジウム
白寧蕊が口頭発表を行いました。
「厚膜成長と粉体化により応力を緩和したScAlNにおける結晶構造のSc濃度依存性」
五月女巧が口頭発表を行いました。
「AlNとScAlN薄膜共振子の非線形性に起因する周波数シフトとDCバイアス時の格子ひずみの比較」
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「GHz帯PbTiO3 エピ薄膜の基板裏面における反射率差を用いた指紋イメージング」
清水祐樹が口頭発表を行いました。
「基板付きAlN、ScAlN、ZnO薄膜共振子の機械的Qm値の抽出」
近藤圭太が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜構造における変換損失k t 2 評価法に寄生インダクタンスが与える影響」
國信聡太が口頭発表を行いました。
「自立薄膜共振子の作製を目指したPbTiO3 エピタキシャル薄膜のMgO下地エッチング」
2020年12月10日
日本MRS学会
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「PZT, ScAlN, MgZnOにおける圧電薄膜/基板構造からのGHz帯電気機械結合係数k t 2 の抽出」
2020年11月26日
The 41th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2020)
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
“ScAlN, ZnO, and PbTiO3 polarization inverted thin multilayers for BAW and SAW applications”
龍見亮汰が口頭発表を行いました。
「ウェハー状態の圧電薄膜共振子の基板内音響損失を除いた変換損 k t 2 導出法」
2020年11月5日
電子情報通信学会超音波研究会
五月女巧が口頭発表を行いました。
「AlNとScAlNにおける非線形性に起因するDCバイアス時の周波数シフトおよび格子ひずみの比較」
2020年10月6日
第49回EMシンポジウム
泉航太が口頭発表を行いました。
「ZnO薄膜のMgおよびCaドーピングによるUHF帯電気機械結合係数k t 2 の向上」
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「GHz帯PZT系エピ薄膜トランスデューサを用いた指紋イメージング」
岸大貴が口頭発表を行いました。
「レクテナ昇圧素子に向けたScAlN/SiO2 積層型圧電薄膜トランス」
2020年9月28日
電子情報通信学会超音波研究会
木下紗里那が口頭発表を行いました。
「レクテナ昇圧素子に向けた傾斜反転ScAlN圧電薄膜トランス」
木原流唯が口頭発表を行いました。
「ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響」
龍見亮汰が口頭発表を行いました。
「基板付き薄膜共振子の基板内損失を含まない新規k t 2 評価法と従来法の比較」
2020年9月9日
2020 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS)
高麗友輔が口頭発表を行いました。
“Multilayer Piezoelectric ScAlN Film Transducers for Ultrasonic Microscopy in the VHF Range”
木下紗里那が口頭発表を行いました。
“GHz BAW Piezoelectric Transformers with High Voltage Gain Using the Combination of High and Low Dielectric Constant Thin Films”
“Self-Standing FBAR Transformer Based on Shear Mode Zig-Zag ScAlN Multilayer for Rectenna Application”
泉航太が口頭発表を行いました。
“Enhancement of GHz Electromechanical Coupling Coefficient k t 2 of MgZnO and CaZnO Thin Film BAW Resonators”
“c-Axis Oriented ScAlN/ SiO2 Multilayer BAW Transformer for Rectifying Antenna Applications”
岩田直也が口頭発表を行いました。
“Experimental and Theoretical Investigation of k t 2 and Mechanical Quality Factor (Qm) in YbAlN Films Asing DFT”
“Extracting Mechanical Q Factor of the Pure AlN, ZnO, and ScAlN Film Without Etching Substrate”
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
“Zig-Zag ScAlN Multilayer SMR for High Power BAW Filter Application Such as RF Base Station”
“Giga-Hertz Piezoelectric Epitaxial PZT/La-SrTiO3 Transducer for the Application of Fingerprint Imaging”
龍見亮汰が口頭発表を行いました。
“Extraction of k t 2 of Piezoelectric Film/Substrate Structure by Conversion Loss Derived by Electromagnetic Signal Including No Acoustic Losses”
“Accurate Extraction of k t 2 of Piezoelectric Film/Substrate Structure by Conversion Loss Method Subtracting Experimental Acoustic Losses in the Substrate”
五月女巧が口頭発表を行いました。
“ScAlN Nano-Rods Structure Thin Film Grown by a Self-Shadowing Oblique Sputtering for High Electromechanical Coupling Transducer Applications”
2020年5月27-30日
第37回強誘電体応用会議
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「窒化物強誘電体圧電薄膜材料の5G向けBAWフィルタ応用」
泉航太が口頭発表を行います。
「傾斜反転ScAlN圧電薄膜を用いた積層型トランス」
佐藤裕友が口頭発表を行います。
「スパッタ法によるPZT系膜を用いた高効率超音波トランスデューサ」
岩田直也が口頭発表を行います。
「負イオン発生抑制を目指したSc粒埋め込みAl金属ターゲットによる高配向ScAlN薄膜の成長と評価」
2020年3月
科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業(CREST) にステップアップ採択しました。
研究領域「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」
提案課題「スーパースティープトランジスタによるレクテナと圧電トランスの融合によるRFエネルギーハーベスティング技術の実用化」
2019年3月12-15日
第67回応用物理学会春季学術講演会
平澤直人が口頭発表を行います。
「レクテナ用の昇圧回路応用を目指した積層型圧電トランスのモデル化と試作」
松田友佳が口頭発表を行います。
「PZT系エピタキシャル薄膜共振子の600 ºC以上の高温域における圧電特性」
正宗千明が口頭発表を行います。
「イオンビームにより面内a軸方向を揃えたc軸配向AlN薄膜の成長」
間島毅が口頭発表を行います。
「圧電トランス応用に向けたc軸配向極性反転ZnO薄膜共振子の作製」
木下紗里那が招待講演を行います。
「レクテナ昇圧素子に向けたSMR型傾斜反転ScAlN圧電薄膜トランス」
2020年1月29日
圧電材料・デバイスシンポジウム2020
間島毅がポスター発表を行いました。
「c 軸配向 ZnO 薄膜を用いた極性反転共振子の圧電トランス応用」
龍見亮汰が口頭発表を行いました。
「基板付き薄膜共振子の電磁結合信号もしくは音響信号を用いた変換損 k t 2 評価法の比較」
2019年12月16日
超音波計測に関する萌芽技術研究会
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「超高周波帯超音波映像装置用プローブの新しい分極反転圧電薄膜材料」
2019年11月25日-11月27月
The 40th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2019)
松田友佳が口頭発表を行いました。
「自立構造エピタキシャル PbTiO3 薄片の高い電気機械結合係数と温度特性」
正宗千明がポスター発表を行いました。
「イオンビームアシストスパッタ法による a 軸方向の揃った c 軸配向 ScAlN 薄膜の成長」
その他1件
2019年10月27日-11月1月
The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)
柳谷隆彦が招待講演を行います。
“Polarization inverted ScAlN films and new high k t 2 YbAlN films for BAW device applications”
松田友佳が口頭発表を行います。
“Giant piezoelectricity and temperature characteristics of free-standing sputter-epitaxial
PbTiO3 plates”
木原流唯が口頭発表を行います。
“Improvement of crystalline orientation and k t 2 of ScAlN thin films by suppression of negative
ions generation from sputtering target”
五月女巧が口頭発表を行います。
“Measurement of lattice strain change in ScAlN piezoelectric films by XRD for k t 2 estimation without removing substrate”
木下紗里那が口頭発表を行います。
“BAW type transformer with ScAlN multilayer for rectifying antenna”
2019年10月23日
圧電MEMS研究会第20回研究会
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「ウエハ付き状態の圧電薄膜のBAWフィルタ向け評価法および ScAlN薄膜成長のノウハウ」
2019年10月22日
粉体粉末冶金協会2019年度秋季大会
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「5Gのスマートフォン向けフィルタ(BAW filter)の薄膜材料」
間島毅が口頭発表を行います。
「c軸配向ZnO薄膜成長におけるZn面またはO面極性制御および分極反転多層圧電デバイスへの応用」
白寧蕊が口頭発表を行います。
「巨大圧電性ScAlN厚膜の成長および粉体化による結晶構造解析」
2019年10月7-8日
2019 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS)
柳谷隆彦が招待講演を行います。
“ScAlN Polarization Inverted Resonators and Enhancement of k t 2 in New YbAlN Materials for BAW Devices”
木下紗里那が口頭発表を行います。
“A Method for Extracting Mechanical Q Factor of the Piezoelectric Film without Etching Substrate”
“Shear Mode Polarity Inverted ScAlN Multilayer for Application to BAW Transformer in Rectifying Antenna”
木下紗里那がポスター発表を行います。
“A Shear Mode Polarity Inverted ScAlN Multilayer for Application to BAW Transformer in Rectifying Antenna”
五月女巧が口頭発表を行います。
“A Method to Estimate k t 2 of Piezoelectric Films from the Change of Lattice Strain by XRD without Removing Substrate”
木原流唯が口頭発表を行います。
“Effect of Negative Ions Generation from Sputtering Target on Crystalline Orientation and k t 2 of ScAlN Thin Films”
正宗千明が口頭発表を行います。
“Ion Beam Induced A-Axis In-Plane Oriented C-Axis Oriented AlN Thin Film Growth for High-Q BAW Resonator Application”
2019年10月3日
弾性波素子技術第150委員会第158回委員会
柳谷隆彦が講演を行います。
「レクテナ昇圧回路への応用を目指したc軸ジグザグ傾斜ScAlN圧電薄膜トランス」
2019年10月2日
International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA2019)
木下紗里那が口頭発表を行います。
“Estimation of the mechanical Q factor of the piezoelectric film without removing substrate”
“ScAlN thin film stack for BAW transformer in rectifying antenna”
2019年9月18-21日
第80回応用物理学会秋季学術講演会
天野凌輔が口頭発表を行いました。
「CVDグラフェン上のRFスパッタc軸配向ScAlN薄膜の圧電特性」
松田友佳が口頭発表を行いました。
「自立構造エピタキシャル PbTiO3 薄片の共振特性と温度特性」
木原流唯が口頭発表を行いました。
「YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数k t 2 の増幅」
木下紗里那が口頭発表を行いました。
「レクテナ昇圧素子に向けた傾斜反転ScAlN圧電薄膜HBAR型トランス」
2019年9月6日
2019年 電気学会 電子・情報・システム部門大会
天野凌輔が口頭発表を行いました。
「グラフェン上巨大圧電性ScAlN薄膜の弾性波デバイス応用」
木下紗里那が口頭発表を行いました。
「レクテナ昇圧素子を目指したジグザグ配向ScAlN圧電薄膜トランス」
「基板付き薄膜構造を用いた圧電薄膜の機械的品質Qm値の推定法」
佐藤裕友が口頭発表を行いました。
「スパッタ法によるScAlN厚膜を用いたVHF帯高効率超音波トランスデューサ」
2019年8月27-28日
ICoSEM2019
柳谷隆彦が口頭発表を行いました。
“Enhancement of Electromechanical Coupling k t 2 in Rare Earth Doped AlN Films for Bulk Acoustic Wave Filter Applications”
松田友佳が口頭発表を行いました。
“PZT Family Epitaxial Thick Film for Ultrasonic Transducer at Frequencies Below 100MHz”
正宗千明が口頭発表を行いました。
“ScAlN Free–standing 0.1 mm Piezoelectric Plates in the 30–50 MHz Resonance Frequency”
2019年7月29-30日
電子情報通信学会超音波研究会
天野凌輔が口頭発表を行いました。
「擬似すべりモードc軸傾斜配向ScAlN圧電薄膜を用いた複素反射率法による液体試料の粘弾性評価」
2019年7月3日
同志社大学 超音波応用科学研究センター7月例会
柳谷隆彦が依頼講演を行いました。
「レクテナ昇圧素子への応用を目指したc軸ジグザグ配向ScAlN圧電薄膜トランス」
2019年6月13-14日
第48回EMシンポジウム
白 寧蕊が口頭発表を行いました。
「Sc 粒埋め込みスパッタターゲットによる成膜中負イオン照射抑制と ScAlN 薄膜結晶性向上」
正宗千明が口頭発表を行いました。
「イオンビームアシストスパッタ法による a 軸方向が揃った c 軸配向 AlN 薄膜の成長」
松田友佳が口頭発表を行いました。
「自立構造エピタキシャル PbTiO3 薄片の共振特性と温度特性」
2019年6月6日
JST 新技術説明会
柳谷隆彦が講演を行いました。
「微弱電波による環境発電用の新しい昇圧素子」
2019年4月23日
弾性波素子技術第150委員会第156回委員会
柳谷隆彦が口頭発表を行いました。
「イオンビーム成膜を用いた結晶配向制御と極性反転デバイス応用」
2019年3月20日
電子情報通信学会総合大会
龍見亮汰が口頭発表を行いました。
「共振周波数比法を用いた基板付き薄膜共振子の電極付きk eff 2
の抽出」
木原流唯が口頭発表を行いました。
「Al金属ターゲットへのSc埋め込みの有無によるScAlN薄膜音響共振子の結晶化度の違いと圧電特性」
2019年3月9-12日
第66回応用物理学会 春季学術講演会
正宗千明が口頭発表を行いました。
「ScAlN自立薄板を用いた30-40MHz帯振動子」
白寧蕊が口頭発表を行いました。
「溶融および焼結ScAl合金ターゲットを用いた高品質なScAlN薄膜の作製」
野田隆太が口頭発表を行いました。
「RFスパッタ法により作製したPZT系エピタキシャル薄膜のMPB特性」
その他連名発表1件を行いました。
2019年1月30-31日
圧電材料・デバイスシンポジウム2019
天野凌輔が口頭発表を行いました。
「c 軸配向AlN系圧電薄膜のCVDグラフェン上成長と転写技術」
山中恵理が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜の電気機械結合係数抽出時における電極サイズの影響」
戸塚誠が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜の高次モード間共振周波数比を用いたFBARの電極考慮k eff 2 抽出」
その他連名発表2件を行いました。
2019年1月29日
BC(Beyond CMOS/ERM(Emerging Research Materials)合同委員会
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「5G以降に必要なスマートフォン向けフィルタ(BAWフィルタ)の薄膜材料」
2018年12月7日
電子回路研究会
間島毅が口頭発表を行いました。
「極性反転ZnO圧電多層構造を用いた高効率な超音波トランスデューサ」
五月女巧が口頭発表を行いました。
「横波モードのc 軸傾斜配向 ScAlN 薄膜 / 音響多層膜反射器共振子を用いた UHF帯液体粘性評価」
野田隆太が口頭発表を行いました。
「常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜音響共振子の周波数スイッチング特性」
2018年11月13日
各務記念材料技術研究所 創立80周年記念式典・記念講演会
平澤直人がポスター発表を行いました。
2018年11月8日
JST戦略的創造研究推進事業「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」公開シンポジウム-環境発電技術を使ってみよう-
柳谷隆彦がポスター発表を行いました。
「電波発電応用を目指した分極反転構造の圧電トランス薄膜音響共振子」
2018年11月2日
EWE研究室対抗ソフトボール大会で見事準優勝しました!
2018年10月29日
The 39th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2018)
戸塚誠が口頭発表を行いました。
“A new electromechanical coupling coefficient extraction method of as-grown film/wafer structure by using the ratio of overtone mode resonant frequencies”
遠藤結佳がポスター発表を行いました。
“Negative ions generation of the arc-melted and hot press sintered ScAl alloy targets in ScAlN film growth”
白寧蕊がポスター発表を行いました。
“Large electromechanical coupling (k t 2 =22%) in the ScAlN thin films”
清水貴博がポスター発表を行いました。
“Polarity inverted PZT/PbTiO3 epitaxial stack resonators for frequency switchable filters”
正宗千明がポスター発表を行いました。
“ScAlN free–standing piezoelectric plates in the range of 30–40 MHz resonance frequency”
松田友佳がポスター発表を行いました。
“Thick PZT epitaxial film for ultrasonic transducer in the 80 MHz range”
矢崎花がポスター発表を行いました。
“c-Axis tilted ScAlN film shear mode resonators for detection of biomolecular interactions”
山川愉生がポスター発表を行いました。
“Evaluation of fluid viscosity in the vicinity of 400 MHz using quasi-shear mode c-axis tilted ScAlN thin film resonators”
2018年10月22日-25日
IEEE International Ultrasonics Symposium
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
"Polarity inverted ScAlN multilayer for application to
transformer in rectifying antenna"
清水貴博がポスター発表行いました。
"DC-induced piezoelectric cubic PMN-PT/piezoelectric tetragonal
PZT epitaxial stack polarity inverted resonators for frequency switchable
filters"
戸塚誠が口頭発表行いました。
"Extraction of electromechanical coupling coefficient of film /
substrate structure by using the ration of a third mode resonant frequency
to a fundamental mode resonant frequency"
山川愉生が口頭発表行いました。
"Evaluation of viscoelactic properties of liquids based on the
oblique incidence technology using shear horizontal waves at frequencies
above 100 megahertz from c-axis tilted ScAlN thin films"
矢崎花が口頭発表行いました。
"c-axis tilted ScAlN film shear mode resonators for biosensing"
遠藤結佳がポスター発表を行いました。
"The influence of negative ions generation on the arc-melted and
hot press sintered ScAlN alloy targets to the crystalline orientation and
k t 2 of the ScAlN films"
松田友佳が口頭発表を行いました。
"PZT epitaxial thick film for ultrasonic transducer at frequencies
below 100MHz"
正宗千明がポスター発表を行いました。
"ScAlN free-standing 0.1mm plates with 30-50 MHz resonance
frequency"
間島毅がポスター発表を行いました。
"High efficiency ultrasonic transducer using polarity inverted
ZnO thin film"
野田隆太がポスター発表を行いました。
"Investigation of morphotropic phase boundary in sputter-grown
Pb(Zrx, Ti1-x)O3 epitaxial films"
木下紗里那が口頭発表を行いました。
"A new method for extracting Qfactor of the piezoelectric film
without removing substrate"
井桁ほのかがポスター発表を行いました。
"Temperature characteristics of ScAlN/SiO2 BAW resonators"
2018年10月4日
電子情報通信学会超音波研究会
唐澤嶺が口頭発表を行います。
「製法の異なるScAl合金スパッタターゲットから発生する負イオンがScAlN薄膜の特性に及ぼす影響 ~ 電子ビーム溶融、アーク溶融、焼結ScAl合金ターゲットの比較 ~」
清水貴博が口頭発表行います。
「分極反転PZT/PTOエピ膜を用いた周波数スイッチナブルなGHz帯共振子」
戸塚誠が口頭発表行います。
「基板付き薄膜共振子からの新規k t 2 評価法と従来法の比較 ~ 共振周波数比法、変換損失法、共振スペクトル法、共振反共振法 ~」
山川愉生が口頭発表行います。
「c軸傾斜配向ScAlN薄膜/音響多層膜構造の共振子を用いたUHF帯における液体粘性評価」
矢崎花が口頭発表行います。
「c軸傾斜配向厚みすべりモードScAlN薄膜共振子を用いた液体中生体分子相互作用の検出」
2018年9月29日
第168回電子セラミック・プロセス研究会
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「FBARフィルタ用の圧電薄膜材料の進展とウエハの評価手法」
2018年9月21日
7名の研究室第4期生が新規配属されました。(メンバー )
2018年9月18-21日
第79回応用物理学会秋季学術講演会
柳谷隆彦が招待講演を行います。
「最新の窒化物BAWフィルタの動向と酸化物圧電薄膜の位置づけ」
清水貴博が講演奨励賞受賞記念講演を行います。
「ScAlN, ZnOおよびPZT系薄膜の極性制御と分極反転デバイスへの応用」
清水貴博が口頭発表を行います。
「抗電界差により周波数スイッチナブルとなるPZT/PbTiO3 分極反転エピタキシャル薄膜音響共振子」
2018年9月11-14日
International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators(IWPMA2018)
松田友佳が口頭発表を行いました。
"Thick PZT epitaxial film and ScAlN film for ultrasonic transducer below 100 MHz"
間島毅が口頭発表を行いました。
"Polarity inverted high efficiency ultrasonic transducer with (0001)ZnO/(000-1)ZnO/SiO2 glass buffer rod"
戸塚誠が口頭発表を行いました。
"Comparison of k t 2 extraction method from film/substrate structure by using the ratio of resonant frequencies with conventional methods"
遠藤結佳が口頭発表を行いました。
"Influence of negative ions generation on the quality of ScAlN films grown by sputtering targets with different concentration of oxygen and carbon"
2018年8月5-8日
12th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
"A method for extracting GHz electromechanical coupling coefficient from piezoelectric film/substrate structure without removing substrate"
野田隆太が口頭発表を行いました。
"Investigation of MPB in Pb(Zrx,Ti1-x)O3 epitaxial films by RF magnetron sputtering growth"
清水貴博が口頭発表を行いました。
"Frequency switchable polarity inverted resonators based on cubic PMN-PT/tetragonal PZT epitaxial stack"
松田友佳が口頭発表を行いました。
"Thick PZT epitaxial film growth for ultrasonic transducer application below 100 MHz"
2018年7月1日
科研費 挑戦的研究(萌芽)に柳谷隆彦が研究代表者として採択されました
2018年6月14-15日
第47回EMシンポジウム
間島毅が口頭発表を行いました。
「(0001)ScAlN/(000-1)ZnO 極性反転構造を用いた 2 次モードトランスデューサの水中放射特性」
矢崎花が口頭発表を行いました。
「c 軸傾斜配向厚みすべりモード ScAlN 薄膜共振子を用いた生体高分子反応の検出」
野田隆太が口頭発表を行いました。
「Pb(Zrx,Ti1-x)O3 スパッタエピ膜における MPB 特性発現の検証」
戸塚誠が口頭発表を行いました。
「基本モード/3 次モード間共振周波数比を用いた基板付き薄膜構造における圧電薄膜の k t 抽出法と従来
法との比較」
木下紗里那が口頭発表を行いました。
「基板付き圧電薄膜の機械的品質係数 Q 値評価の検討」
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
「溶融および焼結 ScAl 合金スパッタターゲットから発生する負イオンが ScAlN 薄膜の成長に及ぼす影響」
正宗千明が口頭発表を行いました。
「PZT エピ厚膜および ScAlN 厚膜を用いた 30-90 MHz 帯トランスデューサ」
2018年5月21日
電子情報通信学会超音波研究会
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
「レクテナ昇圧素子への応用を目指したc軸ジグザグ配向ScAlN多層圧電薄膜共振子」
清水貴博が口頭発表を行いました。
「周波数スイッチナブルフィルタを目指した常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜音響共振子」
2018年4月17日
平成30年度科学技術分野の文部科学大臣表彰
柳谷隆彦が文部科学大臣表彰を受賞しました
2018年4月1日
廣芝伸哉先生が講師にご着任されました。
高橋直人がメンバ―に加わりました。(メンバー )
2018年3月17-19日
第65回応用物理学会 春季学術講演会
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「最近のBAWデバイス(FBAR)の薄膜材料と評価手法」
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
「低角スパッタ粒子入射を用いたc軸傾斜反転ジグザグScAlN圧電薄膜の成長とレクテナ昇圧素子への応用検討」
山川愉生が口頭発表を行いました。
「c軸傾斜配向ScAlN薄膜を用いた横波超音波の斜入射による液体試料のVHF帯粘弾性評価」
「c軸傾斜配向ScAlN薄膜を用いた擬似すべりモード基板付き共振子による液体試料のMHz帯-GHz帯にわたる粘性評」
清水貴博が口頭発表を行いました。
「ScAlN/ZnO極性反転構造を用いた高次モードトランスデューサの水中放射特性」
「基本モード/高次モード切替可能な常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜共振子」
間島毅が口頭発表を行いました。
「極性反転ZnO圧電薄膜を用いた高効率トランスデューサ」
戸塚誠が口頭発表を行いました。
「基本モードと3次モードの共振周波数比を用いた基板付き薄膜の電気機械結合係数k t 2 の評価法」
正宗千明が口頭発表を行いました。
「90µmScAlN厚膜を用いた40MHz帯トランスデューサ」
松田友佳が口頭発表を行いました。
「高い圧電性を持つPZT厚膜を用いた80 MHz帯高効率トランスデューサ」
遠藤結佳が口頭発表を行いました。
「電子ビーム真空溶融により合成したScAl合金スパッタターゲットを用いた高品質ScAlN薄膜の成長」
2018年3月9日
第4回分科会ワークショップ「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」
柳谷隆彦が依頼講演を行いました。
「圧電トランス薄膜音響共振子による電波発電」
2018年2月5-6日
圧電材料・デバイスシンポジウム2018
戸塚誠が口頭発表を行いました。
「高次モード間共振周波数比を用いた基板付き薄膜共振子からの電気機械結合係数の抽出」
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
「c軸ジグザグ配向ScAlN圧電トランス薄膜共振子のレクテナ昇圧回路への応用検討」
山川愉生が口頭発表を行いました。
「擬似すべりモードc軸傾斜配向ScAlN薄膜を用いた複素反射率測定による液体試料のUHF帯粘弾性評価」
清水貴博が口頭発表を行いました。
「周波数スイッチナブルな常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピタキシャル薄膜共振子」
間島毅が口頭発表を行いました。
「極性反転ウルツ鉱系圧電薄膜を用いた高効率トランスデューサ」
野田隆太が口頭発表を行いました。
「スパッタ法により作製したGHz帯のPb(ZrxTi1-x)O3 エピ膜にMPB特性は現れるか?」
その他連名発表3件を行いました。
2017年12月
WASEDA ONLINE - 読売新聞
研究力に柳谷隆彦の記事が掲載されました。
「超音波のユニークな特性を引き出し近未来社会に大きく役立てる」
2017年12月18日
International Congress on Ultrasonics (ICU)
3件の共同研究発表が行われました。
"Theoretical and experimental study of c-axis-tilted ScAlN / sapphire for SAW devices with high electromechanical coupling"
"Frequency characteristics of thickness-shear mode BAW resonator consisting of c-axis parallel oriented ZnO film for liquid viscosity measurement"
"Study of shear mode acoustic wave devices with c-axis parallel oriented ZnO film to measure the liquid loading properties"
2017年12月1日
EMデバイス・システムの新技術調査専門委員会
柳谷隆彦が技術報告を行いました。
「高品質ScAlN薄膜の成長条件と圧電特性および音響特性の評価」
2017年11月29日
マイクロナノ先端技術交流会
柳谷隆彦が依頼講演を行いました。
「最新のBAW デバイス材料の研究と応用」
2017年11月16日
第4回 ZAIKENフェスタ
佐野耕平、山川愉生、清水貴博が発表を行いました。
2017年10月25-27日
The 38th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE2018)
佐野耕平が口頭発表を行いました。
“High efficiency ScAlN thick film hydrophone operating in the ranges of 40-80 MHz”
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
“Polarity inverted ScAlN films for application to transformer in rectenna”
山川愉生が口頭発表を行いました。
“Simultaneous viscosity evaluation in the MHz to GHz range with low TCF resonators consisting of shear mode piezoelectric thin films on AT-cut quartz crystal”
清水貴博がポスター発表を行いました。
“PMN paraelectric phase epitaxial film for DC field-induced frequency switchable filter”
その他連名発表6件を行いました。
2017年9月26日
2017年秋季日本音響学会研究発表会<
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「分極反転圧電薄膜材料の進展と超音波デバイス応用」
山川愉生が口頭発表を行いました。
「ウルツ鉱型圧電薄膜による横波を用いた MHz 帯-GHz 帯における液体の粘性評価」
清水貴博が口頭発表を行いました。
「Al 極性 ScAlN/O 極性 ZnO 分極反転構造トランスデューサの水中音響特性 」
2017年9月22日
8名の研究室第3期生および1名の大学院生が新規配属されました。(メンバー )
2017年9月13日
International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications @Falls Church, VA, USA
佐野耕平が口頭発表を行いました。
"Giant piezoelectric ScAlN thick film transducer operating in the ranges of 40-80 MHz"
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
"c-Axis zig-zag polarization inverted ScAlN multilayer for FBAR transformer rectifying antenna"
清水貴博が口頭発表を行いました。
"DC bias-induced piezoelectric property and polarity inversion property of PMN paraelectric phase epitaxial film for switchable filter"
2017年9月9日
2017 IEEE International Ultrasonics Symposium
佐野耕平が上位3名によるプレゼンテーションで、Competitionを見事勝ち抜き優勝しました!
2017年9月9日
2017 IEEE International Ultrasonics Symposium @ワシントン
唐澤嶺が口頭発表を行いました。
"C-axis zig-zag polarization inverted ScAlN multilayer for FBAR transformer rectifying antenna"
山川愉生が口頭発表を行いました。
"A new type wide-frequency-range shear viscosity sensor using caxis tilted ScAlN thin film on temperature Stable AT-cut quartz thick plate"
佐野耕平が口頭発表およびStudent Competition発表を行いました。
"High electromechanical coefficient k t 2 =19% thick ScAlN piezoelectric films for ultrasonic transducer in low frequency of 80 MHz"
清水貴博がポスター発表を行いました。
"The frequency wwitchable multi-layered BST/BaTiO3 epitaxial film resonator"
その他連名発表3件
2017年7月27日
電子情報通信学会超音波研究会
山川愉が登壇発表を行いました。
"ScAlN薄膜/低TCF基板構造のすべりモード共振子を用いたMHz帯-GHz帯同時粘性評価"
2017年7月1日
バイオ超音波顕微鏡研究会
佐野耕平が登壇発表を行いました。
"巨大電圧性を持つ40-80MHz帯ScAIN厚膜のハイドロフォン応用"
2017年6月19日-22日
The 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers'17)
佐野耕平が登壇発表を行いました。
"Thick ScAlN film for high efficient ultrasonic transducer in low frequency of 81 MHz"
山川愉がポスター発表を行いました。
"Broadband frequency viscosity measurement using low TCF shear mode resonators consisting of c-axis tilted ScAlN thin film on thick AT-Cut quartz plate"
2017年6月15日-16日
第46回EMシンポジウム
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「分極反転圧電薄膜の成長と応用~レクテナ昇回路へ検討~」
山川愉が登壇発表を行いました。
「c 軸傾斜配向 ScAlN/AT カット水晶基板構造の低 TCF 横波 HBAR を用いた MHz 帯-GHz 帯粘性評価」
佐野耕平が登壇発表を行いました。
「高電気機械結合係数を持つ80MHz 帯 ScAlN 厚膜のハイドロフォン応用への検討」
清水貴博が登壇発表を行いました。
「チューナブルフィルタを目指した PMN 常誘電相エピ膜の電界誘起圧電特性と分極反転特性」
2017年5月1日
科研費ニュース
本研究室の研究成果が文部科学省の科研費ニュースに掲載されました
「世界最高の横波エネルギー変換効率を持つ圧電性薄膜」
2017年2月6日-7日
圧電材料・デバイスシンポジウム2017
佐野耕平が登壇発表を行いました。
「電気機械結合係数 k t 2 =19%のScAlN厚膜を用いた低周波帯80 MHzトランスデューサ」
唐澤嶺が登壇発表を行いました。
「c軸傾斜配向ScAlN膜/ブラック反射層構造のGHz帯厚みすべりモード共振子を用いた液体粘性評価」
山川愉生が登壇発表を行いました。
「c軸傾斜配向ScAlN膜/ATカット水晶基板構造の低TCF横波共振子を用いた
広帯域周波数粘度測定」
清水貴博が登壇発表を行いました。
「抗電界差による基本モード/高次モード周波数切替可能なPZT/PTエピ膜分極反転共振子」
2016年12月28日
2016年度 早稲田大学リサーチアワード受賞者
柳谷隆彦が早稲田大学リサーチアワード(国際研究発信力)の受賞者に選ばれました。
→早稲田大学のホームページ にて紹介されました! >
2016年11月28ー12月2日
5th Joint Meeting of the Acoustical Society of America and Acoustical Society of Japan
森剛志が登壇発表を行いました。
「c-axis tilted ScAlN shear wave acoustic Bragg reflect resonator for gigahertz viscosity measurement」
佐野耕平が登壇発表を行いました。
「Temperature stable liquid gigahertz viscosity sensors by combining shear mode piezoelectric ScAlN thin film and AT-cut quartz crystal plate」
2016年11月2日
EWE研究室対抗ソフトボール大会準優勝!→アルバム
2016年9月18-21日
2016 IEEE International Ultrasonics Symposium
森剛志が登壇発表を行いました。
「Electromechanical coupling hysteresis curves of Pb(Zr,Ti)O3 and PbTiO3 epitaxial films determined by ultrasonic measurement using film/substrate structure」
「The frequency switchable resonator consisting of polarity inverted Pb(Zr,Ti)O3 /PbTiO3 epitaxial multilayer」
合計発表件数9件
2016年9月17日
科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業(さきがけ) に柳谷隆彦が研究代表者として採択されました。
研究領域「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」
提案課題「分極反転構造の圧電トランス薄膜音響共振子による電波発電」
2016年9月16日
8名の研究室第2期生が新規配属されました。(メンバー )
2016年8月23日
13th International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators & Energy Conversion Materials and Devices 2016
柳谷隆彦が招待講演を行いました。
「Electromechanical coupling hysteresis curves of Pb(Zr,Ti)O3 epitaxial films determined by GHz ultrasonic method
using film/substrate structure」
森剛志が登壇発表を行いました。
「Polarity inverted Pb(Zr,Ti)O3 /PbTiO3 epitaxial multilayer frequency switchable resonator in the GHz range」
2016年6月16-17日
第45回 EMシンポジウム
森剛志が登壇発表を行いました。
「PZTとPTの抗電界の差を利用した周波数スイッチナブル分極反転エピタキシャル薄膜共振子」
2016年
科研費 基盤研究(B)に柳谷隆彦が研究代表者として採択されました。
2016年4月18日
電子情報通信学会 超音波研究会
森剛志が2件の発表を行いました。
2016年3月19-22日
第63回応用物理学会春季学術講演会
森剛志が講演奨励賞受賞記念講演を行いました。
「極性反転構造のZnO及びScAlN圧電薄膜の形成と弾性波デバイス応用」
2016年2月8-9日
圧電材料・デバイスシンポジウム2016
森剛志が登壇発表を行いました。 合計発表件数8件
2015年11月24-25日
Sixth International Symposium on Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication Systems
柳谷隆彦が招待講演発表を行いました。
合計発表件数2件
2015年11月18日
森剛志が第39回(2015年秋季)応用物理学会講演奨励賞(採択率4.6%)を受賞しました。
2015年11月5-7日
第36回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム(USE2015)
鈴木雅視、森剛志が登壇発表を行いました。
また、鈴木雅視がUSE2014奨励賞を受賞しました。
合計発表件数6件
2015年10月21-24日
2015 IEEE International Ultrasonics Symposium
柳谷隆彦、鈴木雅視、森剛志が登壇発表を行いました。
また、森剛志がStudent Paper Competition Awardを受賞しました。
合計発表件数13件
2015年9月18日
7名の研究室1期生が新規配属されました。(メンバー )
2015年9月14-15日
応用物理学会学術講演会 鈴木雅視、森剛志が計3件の登壇発表を行いました。
2015年9月3日
電子情報通信学会超音波研究会 柳谷隆彦および鈴木雅視が登壇発表しました。
2015年6月19日
EMシンポジウム 鈴木雅視 次席研究員が登壇発表しました。
2015年5月1日
日本音響学会誌 柳谷隆彦が解説記事を発表しました。
題目「非破壊検査用の高分解能超音波プローブ」
2015年4月1日
名古屋工業大学 機械工学科 柳谷研究室は、
早稲田大学 電気・情報生命工学科に移りました。